特許

J-GLOBAL ID：200903031980789126

樹脂封止型半導体装置、これに用いるダイボンド材および封止材

発明者： 蔵渕 和彦 ,  鈴木 直也 ,  安田 雅昭 ,  河田 達男 ,  酒井 裕行 ,  川澄 雅夫
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001008559
公開番号（公開出願番号）：WO2002-027780
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月04日
要約：

樹脂封止型半導体装置は、ダイボンドパッドおよびインナーリードを有するリードフレームと、ダイボンドパッド上にダイボンド材を介して設置される半導体チップと、半導体チップおよびリードフレームを封止する封止材とを備え、25°Cでの封止材の曲げ破断強度をσb(MPa)、はんだ実装時ピーク温度でのインナーリードとダイボンドパッドに対する封止材のせん断歪みエネルギーをそれぞれUi(N・m)、Ud(N・m)とすると、硬化後のダイボンド材および封止材の特性が、以下の式(1)、式(2)、式(3)を満たす。σe≦0.2×σb 式(1)Ui≧2.0×10-6×σei 式(2)Ud≧4.69×10-6×σed 式(3)ここで、σe=(1/log(kd1))×Ee1×(αm-αe1)×△T1式(4)σei=Ee2×(αe2-αm)×△T2 式(5)σed=log(kd2)×Ee2×(αe2-αm)×△T2 式(6)kd1:弾性係数1MPaに対する25°Cでのダイボンド材の曲げ弾性係数Ed1(MPa)の比(Ed1>1MPa)kd2:弾性係数1MPaに対するはんだ実装時ピーク温度でのダイボンド材の曲げ弾性係数Ed2(MPa)の比(Ed2>1MPa)Ee1:25°Cでの封止材の曲げ弾性係数(MPa)Ee2:はんだ実装時ピーク温度での封止材の曲げ弾性係数(MPa)αe1:半導体装置の成形温度から室温(25°C)までの封止材の平均熱膨張 係数(1/°C)αe2:半導体装置の成形温度からはんだ実装時ピーク温度までの封止材の平均熱膨張係数(1/°C)αm:リードフレームの熱膨張係数(1/°C)△T1:半導体装置の成形温度と温度サイクル時の低温側との差(°C)△T2:半導体装置の成形温度とはんだ実装時ピーク温度との差(°C)

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの半導体チップをリードフレームのダイボンドパッド上にダイボンド材を介して実装し、封止材で封止した樹脂封止型半導体装置において、硬化後のダイボンド材の25°Cでの曲げ弾性係数Ed1は、1MPa以上、300MPa以下であり、かつ硬化後の封止材およびダイボンド材の特性が、式(1)を満たすことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 σe≦0.2×σb 式(1) ここで、 σb:25°Cでの封止材の曲げ破断強度(MPa) σe=(1/log(kd1))×Ee1×(αm-αe1)×△T1 kd1:弾性係数1MPaに対する25°Cでのダイボンド材の曲げ弾性係数Ed1(MPa)の比(Ed1>1MPa) Ee1:25°Cでの封止材の曲げ弾性係数(MPa) αe1:半導体装置の成形温度から25°Cまでの封止材の平均熱膨張係数(1/°C) αm:リードフレームの熱膨張係数(1/°C) △T1:半導体装置の成形温度と温度サイクル時の低温側温度との差(°C)

IPC (3件)：

H01L21/52 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

FI (2件)：

H01L21/52 E ,  H01L23/30 R