液晶表示装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247213
公開番号（公開出願番号）：特開平9-090414
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】面内で特性に分布があるレーザ照射結晶性薄膜トランジスタを、液晶表示装置の表示部画素駆動素子として使用できるようにする。【解決手段】結晶化した半導体の特性に合わせてチャネル長,チャネル幅,画素電極面積,オフセットの長さを変化させる。これによって、面内で充電/書き込み特性および保持特性を均一化させる。また、移動度が大きなトランジスタに選択的に高濃度のアクセプタ不純物を能動層にドーピングさせることでしきい値電圧を均一化させる。

請求項（抜粋）：

表示部の画素を駆動する結晶性薄膜トランジスタをレーザ照射により形成する液晶表示装置の製造方法において、周期的に現われる低移動度薄膜トランジスタをその他の薄膜トランジスタと比較して、チャネル長を小さく、チャネル幅を大きく、画素電極を小さく、もしくはオフセットの長さを短くなるようにして、表示部薄膜トランジスタがオンもしくはオフしたときに、その他の薄膜トランジスタと同等の画素充電/書き込み特性もしくは保持特性が得られるようにすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/13 101

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/13 101

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