特許

J-GLOBAL ID：200903031983002925

面発光型半導体レーザ

発明者： 乙間 広己
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221444
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068225
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 偏光方向を安定させつつビームプロファイルを円形とすること、または、ビームプロファイルを偏光制御と独立に制御可能な面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に活性層とスぺーサ層と半導体多層膜による反射鏡とコンタクト層と電極とを有する垂直共振器型の面発光型半導体レーザ装置において、該電極が扁平形状または矩形形状の開口部104を形成したオーミック電極領域102と、該オーミック電極領域102の開口部104内に位置し、前記オーミック電極領域102の開口部より面積が小さく、且つ、異なる形状の開口部105を形成したショットキー電極領域103とを有する。オーミック電極領域とショットキー電極領域とは、異なる電極材料により形成してもよく、同じ電極材料により形成し、電極材料と隣接する半導体層に予め不純物拡散を行ってキャリア濃度を高濃度とする領域を形成したり、半導体層にバンドギャップの異なる領域を形成することにより、オーミック電極領域とショットキー電極領域とを形成してもよい。

請求項（抜粋）：

第一の導電型の半導体基板上に下部分布ブラッグ反射鏡、第一の導電型のバッファー層、活性層、第二の導電型の半導体多層膜による反射鏡及び第二の導電型のコンタクト層が備えられ、電極を有する垂直共振器型の面発光型半導体レーザにおいて、該第二の導電型のコンタクト層上に、レーザーの発光領域に対応する扁平形状の開口部を形成したオーミック電極領域が形成され、さらに、その上部に該オーミック電極領域の開口部内の発光領域に位置し、オーミック電極領域の開口部より面積が小さく、且つ、異なる形状の開口部を形成したショットキー電極領域が形成されることを特徴とする垂直共振器型の面発光型半導体レーザ。