特許

J-GLOBAL ID：200903031984150782

半導体ウェハの研磨方法および半導体ウェハ構造体

発明者： 栗城 衛 ,  芳井 義治 ,  河口 隆
出願人/特許権者： モトローラ株式会社
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191047
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012492
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 スマートカード用IC等に必要である約100〜150ミクロンまで半導体ウェハを研磨しても、たわみおよびクラックを防止し、半導体デバイスの保護、工程削減を可能にする。【解決手段】 約2.1x10E8〜6.8x10E7パスカルの弾性率を有する従来のビニールテープに替え、またはそのビニールテープの上に、約4.6x10E9〜4.3x10E9パスカルの弾性率を有するPET製補強材を半導体ウェハ上に付着させる。それによって、研磨後のウェハ周縁を保護し、かつ半導体ウェハを従来よりも薄く研磨することができる。さらに、ダイシングテープへその補強材付きウェハを搭載し、その後補強材を剥がすという工程を一連の工程ですることによって、ウェハデバイスの汚染および工程削減を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを研磨する方法であって:半導体デバイスが形成された半導体ウェハ(100)の表面上に、補強材(110)を粘着強度wの第1接着剤(120)で付着させる段階であって、当該補強材(110)は、1.0 x 10E9 〜 4.6 x 10E9パスカルの弾性率を有する、ところの付着段階;および当該補強材(110)を付着させた前記半導体ウェハ(100)の裏面を研磨する研磨段階;から構成されることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/304 622 J ,  H01L 21/02 C