特許
J-GLOBAL ID：200903031986570126
化合物半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298306
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151473
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 深い準位または界面準位に由来する素子特性の変化や変動を抑制することができる化合物半導体素子およびその製造方法を提供すること。【構成】 1000A°の厚さに結晶成長させた活性層30の直下の領域32を少なくとも含む領域のGaAs基板を除去して基板無設領域34としてある。この基板無設領域34には、半絶縁性層38を具え、この半絶縁性層38の下に裏面電極40が設けてある。
請求項（抜粋）：
結晶成長させた活性層を具える化合物半導体素子において、少なくとも該活性層の直下の領域を基板無設領域とし、該基板無設領域に、結晶成長させた化合物半導体を用いて形成した半絶縁性層を具え、該半絶縁性層の下に裏面電極が設けてあることを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
