特許
J-GLOBAL ID：200903031988115469
エッチング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154819
公開番号（公開出願番号）：特開平11-350171
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、エッチングを均一に行うことのできるエッチング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のエッチング方法は、基板に対してイオンビームを用いてエッチングするに際し、上記基板を面内方向に±180 ゚以上の範囲で繰り返し回動させる。
請求項（抜粋）：
基板に対してイオンビームを用いてエッチングするに際し、上記基板を面内方向に±180 ゚以上の範囲で繰り返し回動させることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
C23F 4/00 C
, G11B 5/31 M
, G11B 5/31 D
, G11B 5/31 C
