特許
J-GLOBAL ID：200903031988808189
半導体製造装置の制御装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209785
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040321
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 加熱制御に係る情報を効果的にオペレータに認識させることのできる半導体製造装置の制御装置を提供する。【解決手段】 記憶ディスク部16が保持した制御目標温度に基づいて、制御部13がヒータに供給する電力を制御する。そして、温度測定器6、8が制御部13による制御結果としての制御目標温度に対応する実際の温度を測定し、表示制御部15が温度を測定により変化する棒グラフとしてグラフィック表示部17に表示させるとともに、対応する制御目標温度のマークを当該棒グラフに関連付けて表示させる。更に、表示制御手段15が、制御目標温度に対して記憶ディスク部15に保持された閾値を超えた実測温度が得られた場合には、当該実測温度を表示する棒グラフの形態を通常の形態と異ならせて画面に表示させる。したがって、処理において加熱制御が適切に行われているか否かを容易にオペレータに認識させることができる。
請求項（抜粋）：
ヒータに供給する電力を制御することにより処理対象の基板を加熱して所定の処理を施す半導体製造装置において、加熱制御に係わる目標値を保持する目標値記憶手段と、目標値に基づいてヒータに供給する電力を制御する電力制御手段と、電力制御手段による制御結果としての目標値に対応する値を測定する測定手段と、実測値を測定により変化する棒グラフとして画面に表示させるとともに、対応する目標値のマークを当該棒グラフに関連付けて表示させる表示制御手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置の制御装置。
IPC (4件)：
H05B 3/00 365
, H01L 21/22 511
, H01L 21/324
, H01L 21/205
H05B 3/00 365 A
, H01L 21/22 511 A
, H01L 21/324 T
, H01L 21/205
