特許

J-GLOBAL ID：200903031990850710

シリコン異方性エッチング方法

発明者： 塩沢 龍雄 ,  前中 一介 ,  小橋 実紀
出願人/特許権者： 多摩川精機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088439
公開番号（公開出願番号）：特開平6-299372
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明はシリコン異方性エッチング方法に関し、特に、エッチング時に超音波を照射することにより、エッチング速度を向上させると共に、エッチングマスクの損傷を防止することを特徴とする。【構成】 本発明によるシリコン異方性エッチング方法は、水酸化テトラメチルアンモニウム液よりなるエッチング液(2)中にシリコンウェハー(4)を浸漬させた状態で異方性エッチング方法において、このエッチング液(2)に超音波(5a)を照射して、エッチング時の気泡の発生を防止し、エッチング精度を向上させる構成である。

請求項（抜粋）：

水酸化テトラメチルアンモニウム液よりなるエッチング液(2)中にシリコンウェハー(4)を浸漬させた状態で異方性エッチングを行うようにしたシリコン異方性エッチング方法において、前記エッチング液(2)に超音波(5a)を照射することを特徴とするシリコン異方性エッチング方法。

IPC (4件)：

C23F 1/40 ,  C04B 41/91 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308