特許

J-GLOBAL ID：200903031997661476

ショットキバリア半導体装置

発明者： 黒田 司 ,  岩黒 弘明 ,  大野 純一
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248755
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077464
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 単結晶半導体基体の平面状の主表面に二種類のショットキ金属層を設け、順方向および逆方向損失を低減すると共に、集積度および微細加工精度が高く、製造容易な構造を得る。【構成】 バリアハイトの大きい第1(又は第2)のショットキ金属層がはさむバリアハイトの小さい第2(又は第1)のショットキ金属層の幅を1μm以下とすること、第1(又は第2)のショットキ金属層が金属障壁層を介して、第2(又は第1)のショットキ金属層を被うように設けること、および、そのバリアハイトの小なる方のショットキ金属層の幅を1μm以下とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

平面状をなす単結晶半導体基体の主表面上に、バリアハイトの異なる第1および第2のショットキ金属層を隣接して設け、かつ、バリアハイトの大きい第1(又は第2)のショットキ金属層がはさむバリアハイトの小さい第2(又は第1)のショットキ金属層の前記主表面上の幅を1μm以下としたことを特徴とするショットキバリア半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-015674
  
• 特開平1-270348
  
• 特開昭62-193280
  
• 特開昭61-180476