特許

J-GLOBAL ID：200903032002996884

半導体撮像装置及びイメージセンサ

発明者： 宮川 良平 ,  遠藤 幸雄 ,  江川 佳孝 ,  田中 長孝 ,  石渡 宏明 ,  後藤 浩成 ,  真鍋 宗平 ,  三浦 浩樹 ,  山口 鉄也 ,  沼崎 俊一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-330318
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165467
出願日： 2002年11月14日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】本発明はCMOSイメージセンサのもつ低消費電力の特性を生かしつつ、歪みを抑えた動画像の撮影可能がイメージセンサを提供することを目的とする。【解決手段】CMOSイメージセンサ1は複数の画素セル2a〜2dが2次元に配列されている。これらの画素セル2a〜2dは、主にフォトダイオードPD、CCD素子、PD電荷排出素子Td及び信号検出部DNから構成されている。フォトダイオードPDで一定期間蓄積された信号電荷を全画素セル2a〜2d同時にCCD素子の信号蓄積電極ΦREADRへ読み出し、CCD素子において一時信号電荷を蓄積・保持する。その後、CCD素子に保持された信号電荷をライン毎に出力する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光の強度を信号電荷に光電変換するフォトダイオード部と、 このフォトダイオード部に蓄積された信号電荷を除去する電子シャッタ読出し素子と、 前記フォトダイオード部に蓄積された信号電荷を一時蓄積するCCD素子とを備えた画素セルが複数個2次元配列されていることを特徴とする半導体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 B

Fターム (19件)：

4M118AA02 ,  4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118FA45 ,  5C024CX54 ,  5C024CY42 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY35 ,  5C024GY39