特許
J-GLOBAL ID：200903032008069381

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

発明者：
小崎 徳也

小崎 徳也 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037826
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232239
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 保護膜上部に限らず窓部の結晶欠陥の転位を減少させ、且つ保護膜上部で隣接するGaN同士の接合の際に空隙の生じない窒化物半導体の成長方法、及び前記方法により得られる窒化物半導体を基板とし寿命特性等の素子性能が良好で、量産性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 成長方法として、基板上に窒化物半導体が成長しにくい材料からなる第1の保護膜を部分的に形成する第1の工程と、この第1の工程後、形成させた第1の保護膜上に第1の窒化物半導体の横方向の成長を利用しながら第1の保護膜の上にまで成長させる第2の工程とを少なくとも有する窒化物半導体の成長方法において、前記第2の工程で第1の窒化物半導体の成長時に、p型不純物、又は、p型不純物及びn型不純物をドープする。素子として前記方法により得られた窒化物半導体を基板としこの上に素子構造を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、窒化物半導体が成長しにくい材料からなる第1の保護膜を部分的に形成する第1の工程と、この第1の工程後、形成させた第1の保護膜上に第1の窒化物半導体の横方向の成長を利用しながら第1の保護膜の上にまで成長させる第2の工程とを少なくとも有する窒化物半導体の成長方法において、前記第2の工程で第1の窒化物半導体の成長時に、p型不純物をドープすることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673
Fターム (58件)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045HA16 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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