特許

J-GLOBAL ID：200903032028374210

Moスパッターリングターゲット材及びその製造方法

発明者： 土屋 満
出願人/特許権者： 東京タングステン株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033006
公開番号（公開出願番号）：特開2000-234167
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 スパッター時の条件によリパーティクルが多量に発生したり、アーキングが起きるという問題を解消した品質の良いMoスパッターリングターゲット材とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 Moスパッターリングターゲット材は、Mo圧延材を熱処理する事により得られるランダムな結晶方位を備えた再結晶Mo板であって、再結晶粒径の平均が100μm以下である。このMoスパッターリングターゲット材を製造するには、Mo素材から圧延加工率70%以上の圧延加工を施して相対密度が99.5%のMo板を得、1100°C〜1200°Cで熱処理し、再結晶させて100μm以下の均粒な組織を有するMo板からなるスパッターリングターゲット材を得ることによる。

請求項（抜粋）：

Mo圧延材を熱処理する事により得られるランダムな結晶方位を備えた再結晶Mo板であって、再結晶粒径の平均が100μm以下であることを特徴とするMoスパッターリングターゲット材。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C22F 1/18 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 694

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C22F 1/18 C ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 694 A

Fターム (7件)：

4K029BA11 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-150356