半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277909
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304336
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】リッジ残し厚みが所定の厚みに調整され、リッジ両脇のGaAs再成長層(電流阻止層)の結晶欠陥が低減し、且つ、レーザ光ビームの強度分布における対称性が向上したリッジ導波型半導体レーザとその製造方法を得る。【構成】 p-AlGaAs活性層3を挟むp-AlGaAs下クラッド層2,p-AlGaAs第1上クラッド層4のAl組成比を0.45〜0.6にし、この第1上クラッド層4上に、p-GaAs第1エッチングストッパ層6,Al組成比が0.65のp-AlGaAs第2エッチングストッパ層5及びAl組成比が0.45〜0.6のp-AlGaAs第2上クラッド層7を形成し、リッジ形成を行い、露出する上記第2エッチングストッパ層5を除去した後、上記GaAs第1エッチングストッパ層6上にn-GaAs電流阻止層10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にAl組成比が0.6以下のAlGaAs下クラッド層,GaAsとAlGaAsの少なくとも一方から構成される活性層,Al組成比が0.6以下のAlGaAs第1上クラッド層,エッチングストッパ層及びAl組成比が0.6以下のAlGaAs第2上クラッド層をこの順にエピタキシャル成長し、得られた半導体エピタキシャル層に、有機酸と過酸化水素の混合液をエッチング液として用いたウエットエッチングを施して、上記エッチングストッパ層上に共振器長方向にのびるストライプ状のリッジを形成した後、該リッジの両脇にGaAs電流阻止層をエピタキシャル成長してなるリッジ導波型半導体レーザであって、上記エッチングストッパ層を、GaAs第1エッチングストッパ層と該GaAs第1エッチングストッパ層上に配設されたAl組成比が0.6より大きいAlGaAs第2エッチングストッパ層とで構成し、上記リッジの形成後、リッジの両脇に露出する上記AlGaAs第2エッチングストッパ層を選択的に除去して上記GaAs第1エッチングストッパ層を表面露出させ、このGaAs第1エッチングストッパ層上に上記GaAs電流阻止層をエピタキシャル成長したことを特徴とする半導体レーザ。

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