特許

J-GLOBAL ID：200903032037665503

気相成長方法および気相成長装置

発明者： 名取 克晃 ,  江口 和弘 ,  清利 正弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-246544
公開番号（公開出願番号）：特開平9-087090
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】【課題】 原料ガスの気相反応または凝縮を防ぎ、組成制御性、段差被覆性に優れた誘電体薄膜の成長を可能とする。【解決手段】 反応炉体内に原料ガス導入口を通して導入された原料ガスが、回転軸を中心として回転する基板上に供給される構造において、基板直上に小孔群32を有する整流板31を設置し、この整流板31の温度を、整流板31内に設置したヒータ34または冷却用配管33、基板加熱ヒータからの輻射等を利用することにより、原料ガスの昇華温度以上基板温度以下の範囲に制御する。

請求項（抜粋）：

反応炉体内に原料ガス導入口及び小孔群を有する整流板を通して原料ガスを導入し、該ガスを前記基板上に該基板を回転させながら供給する方法であって、前記整流板の温度を制御して前記基板上に膜を形成することを特徴とする気相成長方法。

IPC (8件)：

C30B 25/16 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

C30B 25/16 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 29/32 Z ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 651