特許
J-GLOBAL ID：200903032037707516
電界効果型半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204232
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299438
出願日： 1991年08月14日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高周波信号増幅素子用および高速論理素子用の電界効果型半導体装置に関し、電界効果型半導体装置内におけるキャリアの全経路における走行を高速化する技術を提供することを目的とする。【構成】 ソース領域4とチャネル領域5の間に、ソース領域4からチャネル領域5に向かって化合物半導体の組成を漸次変化させ、この化合物半導体の禁制帯幅を徐々に減少することによって、この部分におけるキャリアを加速する内部電界を形成するように構成した。また、上記のように化合物半導体の組成を漸次変化させる方法として、ゲート電極をマスクとして、原料ガスの圧を変化させながら供給し、このゲート電極に自己整合して気相成長する工程を採用した。
請求項（抜粋）：
ソース領域とチャネル領域の間に、ソース領域からチャネル領域に向かって化合物半導体の組成を漸次変化させ、半導体材料の禁制帯幅を徐々に減少することによって、この部分におけるキャリアを加速する内部電界を形成したことを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
