特許

J-GLOBAL ID：200903032038565910

プラズマエッチング方法

発明者： 堀尾 正弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321747
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160077
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 積層されたシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を同一のエッチング装置(同一のエッチングチャンバ)で連続的にエッチングする。これにより、スループットを高める。【構成】 シリコン酸化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4およびArを用いる一方、上記シリコン窒化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4,ArおよびO2を用いる。シリコン窒化膜をエッチングするときO2ガスのCHF3,CF4およびArガスに対する流量比(O2/CHF3+CF4+Ar)を20%以上に設定して、エッチングレート比(SiN/SiO2)を約2とする。

請求項（抜粋）：

積層されたシリコン酸化膜とシリコン窒化膜をエッチングするプラズマエッチング方法であって、上記シリコン酸化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4およびArを用いる一方、上記シリコン窒化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4,ArおよびO2を用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-154627
  
• 特開平3-232226
  
• 特開平3-237716