特許

J-GLOBAL ID：200903032039814484

窒化ケイ素薄膜の蒸着

発明者： イスラエル ベイングラス ,  マハリンガム ヴェンカテサン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238425
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150513
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 枚葉式PECVDにおいて、高い速度で膜厚分布の均一性の高い窒化ケイ素膜を堆積する。【解決手段】 ャンバー内のペデスタル上に単一基板を支持し、圧力を少なくとも5〜約100トール(Torr)に調節し基板を摂氏約650乃至約850度に加熱し、シランとアンモニアとを備える先行ガス混合体を、チャンバー内で、基板の面に平行な方向に通過させ、もって一様な厚みの正規組成の(stoichiometric)窒化ケイ素薄膜を基板上に蒸着する。

請求項（抜粋）：

単一基板ないし枚葉形式の低圧力化学蒸着チャンバー内で、単一の基板の上に窒化ケイ素薄膜を高い速度で蒸着する方法であって、a)前記チャンバー内のペデスタル上に単一基板を支持し、b)上記圧力を少なくとも5〜約100トール(Torr)に調節し上記基板を摂氏約650乃至約850度に加熱し、c)シランとアンモニアとを備える先行ガス混合体を、前記チャンバー内で、前記基板の面に平行な方向に通過させ、もって一様な厚みの正規組成の(stoichiometric)窒化ケイ素薄膜を前記基板上に蒸着する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 B