磁気抵抗式磁界センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-501382
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510911
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】狭窄部(7)を介して相互連結された2つの磁性層(1,2)を有する磁気抵抗式磁界センサ。特定例では、狭窄部(7)を形成するように磁性材料で充填された孔(5)を有する中間の非金属層(3)によって2つの磁性層(1,2)を互いに分離する。他の例では、磁性層(1,2)と狭窄部(7)とをほぼ同一面とする(図8)。好適例では、狭窄部(7)の幅(wc)を1ミクロンよりも狭くし、理想的には100nm程度とする。狭窄部の両端間の電気抵抗値を測定することにより、すなわち磁区内抵抗効果に対する磁区間抵抗効果の相対的役割を高め、これに対応させて磁気抵抗値の比を高める。更に、センサの電気特性は主として狭窄部(7)から得られ、一方、その磁気特性は主として磁性層(1,2)から得られる為、センサの電気特性と磁気特性とを少なくとも大きな範囲に亘って独立して調整することができる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗式磁界センサにおいて、この磁界センサが、狭窄部を介して相互連結された2つの磁性層を有していることを特徴とする磁界センサ。

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