特許

J-GLOBAL ID：200903032049273830

COB及びCOBの製造方法,半導体素子及び半導体素子の製造方法

発明者： 森永 優一
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-291695
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111738
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 COBの製造に必要な工数を減らす。【解決手段】 絶縁樹脂基板1に凹部を形成し,この凹部内に接着材4を用いて半導体素子3を埋め込む。パッド3a以外の半導体素子3の表面を絶縁膜5で被覆する。その後無電界金属メッキ6,電界金属メッキ7を順次施し,これらメッキ部に対してエッチング等で回路パターンを形成する。その後外部端子部となる非封止部8a以外を封止用絶縁樹脂8で封止する。非封止部8aに電界金属メッキ9を施し外部端子部9aを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に半導体素子が実装され,かつ該半導体素子の外側が封止用絶縁樹脂で封止されるCOBにおいて,絶縁基板上に形成された凹部に半導体素子が埋め込まれ,前記半導体素子の所定の接続部以外の該半導体素子の表面は,絶縁材によって被覆され,前記絶縁材上には,前記接続部と電気的に導通している導電性金属メッキによるパターンが形成され,前記パターンの外部端子部以外は,封止用絶縁樹脂によって外側から封止されていることを特徴とする,COB。

IPC (4件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/52 A ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 F