特許

J-GLOBAL ID：200903032052213830

半導体基板の洗浄方法及び洗浄液

発明者： 渡▲邉▼ かおり
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263482
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100765
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成されたシリコン酸化膜等のシリコン系絶縁膜に対するPtやIr等の白金族金属による汚染物質を確実に除去し、また、その再付着を防止し得る洗浄液及び洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成されたシリコン系絶縁膜の白金族金属による汚染を除去する洗浄方法であって、洗浄液として塩酸-過酸化水素系(HPM)や硫酸-過酸化水素系(SPM)の金属除去用薬液に微量のフッ酸を添加した洗浄液(HPFM、SPFM)を使用することで、1×1010未満に汚染量を低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたシリコン系絶縁膜の白金族金属による汚染を除去する洗浄方法であって、洗浄液として金属除去用薬液に微量のフッ酸を添加した洗浄液を使用することを特徴とする洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/308 G

Fターム (6件)：

5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043DD12 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-278657   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-228327
  
• 特開平3-228327