特許
J-GLOBAL ID：200903032052526854

窒化物半導体素子、窒化物半導体パッケージおよび窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
大嶽 浩隆

大嶽 浩隆 について

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江上 慎

江上 慎 について

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太田 裕朗

太田 裕朗 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-056429
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205414
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】高耐圧性を確保するとともに、低いゲート閾値電圧を実現することができる窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】この電界効果トランジスタは、n型GaN層2、p型GaN層3およびn型GaN層4が、順に積層された窒化物半導体積層構造部1を備えている。窒化物半導体積層構造部1には、断面台形(メサ形状)となるようにエッチングされることにより、壁面7が形成されている。この壁面7の形成によって露出したp型GaN層3の半導体表面部には、p型GaN層3とは異なる伝導特性を有する領域10が形成され、領域10に接するようにゲート絶縁膜8が形成されている。さらにこのゲート絶縁膜8を挟んで領域10に対向するようにゲート電極9が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体からなる、n型の第1層、この第1層に積層されたp型不純物を含む第2層、およびこの第2層に積層されたn型の第3層を備え、前記第1、第2および第3層に跨る壁面を有する窒化物半導体積層構造部と、 前記第2層における前記壁面に形成された前記第2層とは異なる伝導特性を有する第4層と、 前記第4層に接するように形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を挟んで前記第4層に対向するように形成されたゲート電極と、を含む、窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A
Fターム (63件)：
5F110AA08 ,  5F110AA12 ,  5F110CC09 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE22 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF35 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA00 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AB04 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB04 ,  5F140BC12 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BG26 ,  5F140BG30 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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