特許

J-GLOBAL ID：200903032056506165

マルチチップモジュールの構造

発明者： 奥洞 明彦 ,  中村 利文 ,  石川 実 ,  赤坂 貴志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069566
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283661
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 信頼性が高く、且つ安価なマルチチップモジュールを提供する。【構成】 Cu/ポリイミド多層配線部2が、冗長な容量を有するメモリの集積化された、1枚のウェハレベルのSRAM Si基板1の上部に形成され、アドレスデコーダ/コントローラ3およびMPU4が、Cu/ポリイミド多層配線部2の上部にハイブリッドに構成されている。

請求項（抜粋）：

冗長な容量を有するメモリの集積化された、1枚のウェハレベルの基板層と、絶縁体と導体が多層に組み合わされた配線層と、プロセッサユニットと、前記基板層のメモリと前記プロセッサユニットとの接続を切り換える切り換えユニットが形成された集積回路層とを備え、前記配線層は、前記基板層の上部に形成され、前記集積回路層は、前記配線層の上部にハイブリッドに構成されていることを特徴とするマルチチップモジュールの構造。

IPC (3件)：

H01L 23/522 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/52 B ,  H01L 25/04 Z