特許

J-GLOBAL ID：200903032060798499

ガラス内部に選択的に長残光を発生させる方法

発明者： 邱 建栄 ,  三浦 清貴 ,  平尾 一之
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  邱 建栄 ,  三浦 清貴
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110435
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302638
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【目的】 ガラス内部に所定パターンの長残光発生領域を形成する。【構成】 Eu2+,Pr3+,Tb3+,Yb2+,Ce3+,Mn2+等の希土類イオン及び/又は遷移金属イオンを含むガラスの内部に、集光点を調節したパルスレーザーを集光照射する。ガラスには、ZBLAN等のフッ化物ガラス,混合ハロゲン化物ガラス,CdO,ZnO,アルカリ土類金属酸化物等を含むシリケート系,アルミネート系,アルミノシリケート系等が使用される。集光点をガラスに対して相対移動させるとき、所定パターンで室温で準安定な欠陥領域を長残光発生領域としてガラス内部に形成できる。パルスレーザー光としては、パルス幅100ピコ秒以下のパルスレーザー光が好ましい。【効果】 集光点及び集光点近傍でのみ長残光が発生するため、長残光発生領域を所定パターンでガラス内部に形成するとき、3次元ディスプレイ,大容量時限性光メモリ等として利用できる。

請求項（抜粋）：

希土類イオン及び遷移金属イオンの少なくとも1種を含むガラスの内部に、ガラスが吸収をもたない非共鳴のパルスレーザーを集光点を調節して集光照射し、集光点及びその近傍のみ室温で準安定な電子及び正孔がトラップされる欠陥を誘起して長残光発生領域を形成することを特徴とするガラス内部に選択的に長残光を発生させる方法。

IPC (4件)：

C09K 11/00 ,  C03C 3/095 ,  C03C 4/06 ,  C09K 11/08

FI (4件)：

C09K 11/00 D ,  C03C 3/095 ,  C03C 4/06 ,  C09K 11/08 Z