特許
J-GLOBAL ID：200903032060924540
有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法と有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329811
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172761
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 本発明は第1の電極が平坦化された有機EL素子および製造方法と有機EL表示装置およびその製造方法に関するものである。【解決手段】 ガラス基板10上に第1の電極であるITO膜11を成膜した後、平坦化水準膜12を成膜しパターニングして平坦化水準膜12aを形成する。さらに、ITO膜11をオーバーエッチングしてITO膜11aを形成し、アンダーカット部分15を生じさせる。また、絶縁膜である平坦化膜14を全面に塗布して形成した後、平坦化膜14の大部分と平坦化水準膜12aを除去することによりアンダーカット部分15に形成されている絶縁膜14aをITO膜11aと同じ膜厚で残存させる。
請求項（抜粋）：
発光層と透光性を有する基板との間に形成される透明電極の側部に絶縁膜が形成され、この絶縁膜は前記電極と同じ膜厚を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H05B 33/22
, H05B 33/26
H05B 33/10
, H05B 33/22
, H05B 33/26
