特許

J-GLOBAL ID：200903032067086451

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 櫛田 知義
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167327
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352062
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 寄生バイポーラトランジスタの動作が抑制された半導体装置を提案する。【解決手段】 p型ボディ領域14にp型ボディ領域14よりバンドギャップが小さい材料からなる小バンドギャップ領域18をソース電極26に接するように形成する。p型ボディ領域14の多数キャリアに対するp型ボディ領域14と小バンドギャップ領域18との間のポテンシャルバリアが低いので、p型ボディ領域14に残存する多数キャリアをp型ボディ領域14内の小バンドギャップ領域18を介して効率良くソース電極26へ注入することができる。この結果、p型ボディ領域14をベースとする寄生バイポーラトランジスタの動作を十分に抑制することができる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体材料からなりチャネルが形成されるボディ領域と、該ボディ領域の少なくとも一部を挟むよう配置され他導電型の半導体材料からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域に接するよう形成されたソース電極と、を備える半導体装置であって、前記ボディ領域内に該ボディ領域の半導体材料よりバンドギャップの小さい一導電型の半導体材料からなり前記ソース電極へ多数キャリアを注入可能な小バンドギャップ領域を備える半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 654 ,  H01L 29/161 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/78 658 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-284034   出願人：株式会社デンソー