特許

J-GLOBAL ID：200903032076205404

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 菊池 秋広 ,  栢森 諭 ,  嶋 伸也 ,  坂本 雄一郎 ,  樋口 公博 ,  大橋 薫 ,  上田 雄大 ,  澁谷 宗裕 ,  権代 正
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002006665
公開番号（公開出願番号）：WO2003-009363
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2003年01月30日
要約：

エッチングチャンバー1の内部には、下部電極4上に設けられた半導体ウエハWの周囲を囲むようにフォーカスリング9が設けられている。また、このフォーカスリング9の電位を制御するための電位制御用直流電源33が設けられており、下部電極4に例えば、-400〜-600Vの直流電圧を供給して、フォーカスリング9の電位を制御可能に構成されている。これによって、被処理基板の表面にアーキングが発生することを防止する。

請求項（抜粋）：

内部でプラズマを発生させる処理チャンバーと、 前記処理チャンバー内に設けられ、被処理基板が載置されるサセプタと、 前記サセプタの内部に昇降自在に配置され、前記被処理基板を前記サセプタの上方に支持する基板支持部材と、 前記基板支持部材の頂部と前記被処理基板の裏面との間の圧力と距離、及び前記被処理基板表面の電圧のうちの少なくともいずれか一つを制御して、異常放電の発生を防止する制御部と、 を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101B ,  C23C16/50 ,  H05H1/46 L