プログラム可能な相互接続装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119046
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136269
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】従来のものよりも小型のPID(プログラム可能な相互接続装置)セル寸法を達成し、標準的な処理技術と適合するPID製造方法を提供する。また、従来のアンチヒューズ構造よりも優れた特性を提供するアンチヒューズ構造を得る。【構成】本発明のプログラム可能な相互接続装置は真性多結晶のアンチヒューズ誘電性層を含んでいる。

請求項（抜粋）：

標準的な相補形金属酸化物半導体(CMOS)装置を半導体基板上に製造する方法であって、前記基板中にウエルを形成する段階と、前記ウエル中に能動領域を定める段階と、前記ウエルを覆うようにゲート領域を形成すると段階と、前記ウエル中にドレイン領域およびソース領域を形成する段階と、前記基板を覆うように第1の絶縁層をデポジットさせる段階とを含む方法において、プログラム可能な相互接続装置(PID)を製造する方法であって、能動領域上の前記第1の絶縁層を通してPIDコンタクト開口を形成して、所定の位置において前記能動領域の一部を露出させる段階と、前記能動領域の露出部分上に酸化物の下側アンチヒューズ層を形成する段階と、前記下側アンチヒューズ層を覆うように前記PIDコンタクト開口中に真性多結晶シリコンの島を形成する段階と、前記島を覆うように導電性コンタクトを形成する段階と、を含み、これによって、標準的なCMOS装置を製造する前記方法の残りの段階が完了した後に、前記所定位置に前記プログラム可能な相互接続装置が作製される方法。

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