特許
J-GLOBAL ID：200903032077296861
半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法並びにこのリードフレームを用いた半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096677
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284668
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 非銅系の金属基材の表面に、封止樹脂との密着性が高い銅の黒色酸化膜を形成した半導体装置用のリードフレームを提供する。【解決手段】 非銅系の金属基材2から成るリードフレーム1の封止樹脂9との接合面に銅メッキ層10を形成し、この銅メッキ層10の表層部に銅の黒色酸化膜11を形成した。銅の黒色酸化膜11は羽毛状の粗面を成すため、封止樹脂が膜内に進入して結合が強固になる。黒色酸化膜11の下には銅メッキ層10が残存するので非銅系の金属基材2との結合も強固である。黒色酸化膜11の形成にあたり、有機アルカリの溶液中で、リードフレーム1の銅メッキ層10を陽極酸化させる表面処理方法を採用する。有機アルカリは金属を含まないので、洗浄後に黒色酸化膜9の上に金属が残留することがない。
請求項（抜粋）：
非銅系の金属基材から成るリードフレームであって、少なくとも封止樹脂との接合面の一部に銅メッキ層が形成され、この銅メッキ層の上層部に銅の黒色酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, C25D 11/34 302
, H01L 23/48
H01L 23/50 D
, C25D 11/34 302
, H01L 23/48 K
