特許

J-GLOBAL ID：200903032081604465

半導体装置の実装方法および半導体装置の実装装置

発明者： ▲高▼橋 渉 ,  遠山 広 ,  小椋 茂樹 ,  戸倉 和男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025030
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219417
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 得られるチップモジュールの反りを抑制し、高い接続信頼性を確保し得るとともにボンディング間隔を短くして製造効率を高めることのできる半導体装置の実装方法の提供が望まれている。【解決手段】 熱硬化性樹脂5を介して被実装体1にフェイスダウン方式で半導体装置2を実装し、チップモジュールを作製する実装方法である。作製するチップモジュールの被実装体側と半導体装置側との両側より、被実装体側と半導体装置側とが略同等の熱プロファイルとなるようにして加熱し、被実装体1と半導体装置2との間の熱硬化性樹脂5を硬化させる。その後、作製するチップモジュールの被実装体側と半導体装置側との両側より、被実装体側と半導体装置側とが略同等の熱プロファイルとなるようにして冷却する。

請求項（抜粋）：

熱硬化性樹脂を介して被実装体にフェイスダウン方式で半導体装置を実装し、チップモジュールを作製するに際し、作製するチップモジュールの被実装体側と半導体装置側との両側より、該被実装体側と半導体装置側とが略同等の熱プロファイルとなるようにして加熱し、被実装体と半導体装置との間の熱硬化性樹脂を硬化させ、その後、作製するチップモジュールの被実装体側と半導体装置側との両側より、該被実装体側と半導体装置側とが略同等の熱プロファイルとなるようにして冷却することを特徴とする半導体装置の実装方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 T