特許
J-GLOBAL ID：200903032085723248
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029901
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン上に形成する半導体装置の絶縁膜として、埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない優れた膜質のものを形成する。【構成】 シリコンウェファ11の表面に熱酸化膜12を形成し、その上にポリシリコン配線13を形成した後、エタノールなどの有機化合物を塗布処理し、しかるのちに絶縁膜14を化学気相成長により形成する。このように下地表面を有機化合物により処理することにより、埋め込み性が良く、ボイドがなく、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地に多結晶シリコンを選択的に形成し、この下地及び多結晶シリコンの表面を有機化合物で処理した後、前記絶縁膜を化学気相成長により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
