配線基板および半導体装置及びそれらの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-202913
公開番号（公開出願番号）：特開2003-020257
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】マルチチップモジュールなどの配線の微細化にはコアとなる基板の平坦性や寸法安定性が重要である。ガラス基板は平坦性に優れ、また熱膨張係数もシリコンに近いことからこの用途に対して有望であるが、多数の微細貫通孔の高能率に形成が難しく、微細貫通孔形成に伴う応力集中のため実装プロセス中の各種応力により基板が割れ易いという問題があり、これを防止する手法の開発が実用化のための最重要課題であった。【解決手段】以上の問題を解決するため、本発明では微細貫通孔を複数個形成したアルカリ酸化物を含むガラス基板を、このガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンのイオン半径よりも大きいイオン半径を有するアルカリ金属イオンを含む溶融塩浴中に浸漬することで、このガラス基板中のアルカリ金属イオンと溶融塩浴中のアルカリ金属イオンを置換し、微細貫通孔の内表面を含む表面層に圧縮の残留応力を形成する。この強化基板をコア基板として用いることで平坦性の良いガラス基板上に回路を実装した配線板を得ることが可能になる。

請求項（抜粋）：

貫通孔を有するガラス基板であって、該貫通孔の内表面を含む基板表面部に圧縮の応力層が形成されていることを特徴とするガラス基板。

IPC (7件)：

C03C 21/00 101 , C03C 19/00 , H01L 23/12 , H01L 23/15 , H05K 1/11 , H05K 3/40 , H05K 3/46

FI (9件)：

C03C 21/00 101 , C03C 19/00 A , H05K 1/11 H , H05K 3/40 E , H05K 3/46 N , H05K 3/46 Z , H01L 23/12 H , H01L 23/12 L , H01L 23/14 C

Fターム (30件)：

4G059AA08 , 4G059AB01 , 4G059AC16 , 4G059HB03 , 4G059HB13 , 4G059HB14 , 5E317AA24 , 5E317BB04 , 5E317BB11 , 5E317CC31 , 5E317CD05 , 5E317CD23 , 5E317CD27 , 5E317CD32 , 5E317GG09 , 5E346AA02 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA41 , 5E346BB01 , 5E346BB15 , 5E346CC02 , 5E346CC08 , 5E346CC31 , 5E346DD15 , 5E346EE31 , 5E346FF01 , 5E346FF45 , 5E346GG01 , 5E346HH11

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