特許
J-GLOBAL ID：200903032092665326
荷電粒子線転写用マスクまたはX線転写用マスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283827
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135104
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 パターン形成に関与しない境界領域が占める割合を低減した(大型化を抑制した)荷電粒子線転写用のマスクまたはX線転写用のマスクを製造する方法を提供すること。【解決手段】 ターゲットに転写すべきパターンをメンブレン33' 上にそれぞれ備えた多数の小領域10a'が前記パターンが存在しない境界領域10b'により区分されたマスク10' であり、前記境界領域に対応する部分に支柱Hsが設けられた荷電粒子線転写用またはX線転写用のマスクを製造する方法であり、Si層33/中間層32/Si基板31の3段構造を有する部材を用意して、前記Si基板31に誘導結合プラズマエッチング、側壁保護プラズマエッチングまたは極低温反応性イオンエッチングを施すことにより、前記Si層33及び/または中間層32と直交または略直交する壁面Hs' を有する複数の支柱Hsを前記境界領域10b'の各設定箇所に対応させて形成するとともに、前記小領域10a'の各設定箇所に対応する各支柱間の開口部を形成する工程を備えた荷電粒子線転写用マスクまたはX線転写用のマスクを製造する方法。
請求項（抜粋）：
ターゲットに転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用またはX線転写用のマスクを製造する方法において、Si層/中間層/Si基板の3段構造を有する部材を用意する工程と、前記Si層上における前記小領域の各設定箇所に、前記転写すべきパターンをそれぞれ形成することにより、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程と、前記Si基板上に、前記各小領域に対応する開口部分をそれぞれ有するレジストパターン層を形成する工程と、前記レジストパターン層をエッチングマスクにして、前記Si基板に誘導結合プラズマエッチング、側壁保護プラズマエッチングまたは極低温反応性イオンエッチングを施すことにより、前記Si層及び/または中間層と直交または略直交する壁面を有する複数の支柱を前記境界領域に対応させて形成するとともに、前記各小領域に対応する各支柱間の開口部をそれぞれ形成する工程と、前記開口部において露出した中間層をエッチングにより除去して、各開口部に前記Si層のメンブレンを露出させる工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子線転写用マスクまたはX線転写用のマスクを製造する方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 S
