特許

J-GLOBAL ID：200903032093074216

発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 海野 恒弘 ,  今野 泰一郎 ,  柴田 憲治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142601
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344019
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】電流分散膜として透明導電膜を用いた発光ダイオードを製造する際に、透明導電膜からの電極剥がれを起こさない構造とする。【解決手段】スプレー法を用いて、又はウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト、研磨などにより、ITOの透明導電膜7の表面に5nm以上で200nm以下の凹凸を形成する。

請求項（抜粋）：

第一導電型基板上に、半導体のp型層とn型層のヘテロ構造または活性層をp型とn型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を持つ発光部を形成し、その上に透明導電膜を形成し、その表面と裏面側に金属電極を形成し、透明導電膜側から光を取り出す発光ダイオードにおいて、表面に5nm以上で200nm以下の凹凸を形成した透明導電膜を有することを特徴とする発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 29/46 H

Fターム (21件)：

4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB11 ,  4M104BB36 ,  4M104DD24 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• AlGaInP系発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216403   出願人：信越半導体株式会社
• 導体付き基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-129696   出願人：旭硝子株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344489   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭64-056538