特許

J-GLOBAL ID：200903032105612146

ビスマス固溶アンチモン酸

発明者： 小澤 清 ,  目 義雄 ,  打越 哲郎 ,  天野 宗幸
出願人/特許権者： 科学技術庁金属材料技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278691
公開番号（公開出願番号）：特開2000-103622
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 高いプロトン伝導度を示す新しい無機プロトン伝導度を提供する。【解決手段】 一般式HSb<SB>1-x </SB>Bi<SB>x </SB>O<SB>3-X </SB>・nH<SB>2 </SB>O(0<x<0.5,0<n<10)で表されることを特徴とするビスマス固溶アンチモン酸とする。

請求項（抜粋）：

一般式HSb<SB>1-x </SB>Bi<SB>x </SB>O<SB>3-X </SB>・nH<SB>2 </SB>O(0<x<0.5,0<n<10)で表されることを特徴とするビスマス固溶アンチモン酸。

Fターム (4件)：

4G048AA03 ,  4G048AC06 ,  4G048AC08 ,  4G048AD06