特許

J-GLOBAL ID：200903032106159950

反射型電気光学装置および投射型表示装置

発明者： 次六 寛明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-135079
公開番号（公開出願番号）：特開2008-292538
出願日： 2007年05月22日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：

【課題】光が斜めに入射した場合などでも、半導体層への光の入射を確実に防止することのできる反射型電気光学装置、およびこの反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。【解決手段】反射型電気光学装置の素子基板10では、支持基板10dとして透光性基板が用いられ、半導体層1aが島状に形成されている。このため、画素電極9aの間から光が侵入した場合でも、かかる光は、半導体層1aに入射せず、支持基板10dを透過する。支持基板10dの表面に形成された下地絶縁層12において、半導体層1aの側方には凹部12a、12bが形成され、かかる凹部12a、12bには、遮光性を備えた走査線形成用導電膜が埋め込まれている。このため、斜めに入射した光や回折した光が半導体層1aに向けて進行した場合でも、かかる光は、凹部12a内の導電膜で遮断される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

支持基板上に形成された下地絶縁層の上層に電界効果型トランジスタの半導体層が形成されているとともに、当該半導体層の上層側には光反射層を含む複数種類の導電膜が形成された反射型電気光学装置において、 前記支持基板は透光性基板であり、 前記半導体層は島状に形成され、 前記半導体層の側方位置では前記下地絶縁層に凹部が形成されているとともに、当該凹部には、前記複数種類の導電膜のうちのいずれかの導電膜が埋め込まれていることを特徴とする反射型電気光学装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 ,  G02F 1/13 ,  G03B 21/00

FI (3件)：

G02F1/1368 ,  G02F1/13 505 ,  G03B21/00 E

Fターム (28件)：

2H088EA15 ,  2H088HA02 ,  2H088HA04 ,  2H088HA08 ,  2H088HA14 ,  2H088HA21 ,  2H088MA01 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JB07 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB54 ,  2H092JB56 ,  2H092JB69 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA22 ,  2H092PA09 ,  2K103AA05 ,  2K103AA14 ,  2K103AB10 ,  2K103BB01 ,  2K103BC19 ,  2K103BC50 ,  2K103CA18 ,  2K103CA25 ,  2K103CA75

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭61-43712号公報