特許
J-GLOBAL ID：200903032109047613
炭化ケイ素トレンチMOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010272
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204179
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】トレンチにゲート電極が埋め込まれた形のSiC(炭化けい素)トレンチMOSFETにおいて、電圧印加時のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止し、アバランシェ耐量の増大を図る。【構成】MOSFETのpベース層を表面から堀り下げ、ゲート部のトレンチより深い第二のトレンチを形成し、その第二のトレンチの底面および側面にTi等からなるショットキー電極を設け、そのショットキー電極とソース電極とを接続する。電圧印加時に、第二のトレンチ部で最初にアバランシェ降伏が起きるので、ゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止でき、また、アバランシェ耐量も向上する。
請求項（抜粋）：
第一導電型の炭化ケイ素半導体サブストレート上にエピタキシャル成長法により順に形成されたサブストレートより不純物濃度の低い炭化ケイ素の第一導電型ドリフト層と炭化ケイ素の第二導電型ベース層と、その第二導電型ベース層の表面層の一部に形成された第一導電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面から第一導電型ドリフト層に達するトレンチを有し、そのトレンチ内に絶縁膜を介して電圧を印加する電極を備えるものにおいて、前記トレンチよりさらに深い第二のトレンチを有し、その第二のトレンチの内面に接するショットキー電極を備えることを特徴とする炭化ケイ素トレンチMOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 B
