特許
J-GLOBAL ID：200903032109511557
シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234805
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074783
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 不純物酸素の析出に伴うイントリンシック・ゲッタリング効果を有するシリコンウェハーに関し、ゲッタリングの処理を、従来の酸素析出核の形成の低温熱処理と成長の高温熱処理とを省略しても行えるやり方を提案する。【構成】 不純物としてゲルマニウムを100ppm 以上含有しているシリコンウェハーとする。シリコン単結晶インゴットを製作し、該インゴットからウェハーを製作し、該ウェハーを熱処理してイントリンシック・ゲッタリング処理を施すウェハーゲッタリングの処理方法において、シリコン溶液中にゲルマニウムをドープして、前記シリコン単結晶インゴットにゲルマニウム原子を1000ppm 以上含有させるように構成する。
請求項（抜粋）：
不純物としてゲルマニウムを100ppm 以上含有していることを特徴とするシリコンウェハー。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, C01B 33/02
, C30B 29/06
, H01L 21/208
