特許

J-GLOBAL ID：200903032109777441

磁場測定方法および磁場測定装置

発明者： 今村 健一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-195244
公開番号（公開出願番号）：特開平9-043324
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 新規な原理に基づく磁場測定方法および磁場測定装置に関し、スピン偏極走査型トンネル顕微鏡の技術を用いる新たな磁気測定方法を提供する。【解決手段】 閃亜鉛構造の結晶構造を持つ化合物半導体のセンサ領域を有する感磁性素子を準備する工程と、前記センサ領域に円偏光を照射して、スピン偏極状態を発生させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極を測定対象磁場中で緩和させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極の緩和の度合いを測定する測定工程と、得られた緩和の度合いから磁場の強度を検出する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛構造の結晶構造を持つ化合物半導体のセンサ領域を有する感磁性素子を準備する工程と、前記センサ領域に円偏光を照射して、スピン偏極状態を発生させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極を測定対象磁場中で緩和させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極の緩和の度合いを測定する測定工程と、得られた緩和の度合いから磁場の強度を検出する工程とを含む磁場測定方法。

IPC (4件)：

G01R 33/032 ,  G01R 33/02 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 43/00

FI (4件)：

G01R 33/032 ,  G01R 33/02 A ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 43/00