特許
J-GLOBAL ID：200903032113308693
マイクロ波増幅器のバイアス回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172871
公開番号（公開出願番号）：特開平5-022058
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 電界効果トランジスタや高電子移動度トランジスタ等の増幅素子が電気的に破壊されにくくする。【構成】 ゲートバイアス回路7への電圧は、バイアス電圧発生回路9から常時印加しておく。一方、ドレインバイアス回路8a,8bへの電圧は、バイアス電圧発生回路9からバイアス切換回路10を介して印加する。バイアス切換回路10により直流電源の供給電圧に応じてドレインバイアス回路8aあるいは8bの一方のみがオンされ、FET11aまたは11bにバイアス電圧が印加される。
請求項（抜粋）：
複数の入力線路を有し、各々の入力線路に1個以上の高電子移動度トランジスタあるいは電界効果トランジスタ等の増幅素子を備え、各々の増幅素子の出力を共通とし、ある1つの入力線路に接続された増幅素子を動作させ、他の増幅素子を非動作とすることにより、入力信号の切り換えを行うマイクロ波増幅器のバイアス回路において、増幅素子のゲートバイアスを常時印加するバイアス電圧発生回路を設け、このバイアス電圧発生回路からの電圧にて増幅素子のドレインバイアスのみオンオフすることにより増幅素子を動作,非動作させるバイアス切換回路を設けたことを特徴とするマイクロ波増幅器のバイアス回路。
IPC (2件)：
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