プラズマCVD装置のプリコート方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302018
公開番号（公開出願番号）：特開2001-123271
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波と高周波(RF)プラズマを用いるプラズマCVD装置において、成膜プロセスでの異物発生を低減して稼働率の高いプラズマCVD装置を実現する。【解決手段】NF3プラズマクリーニング終了後に、反応室1内にマイクロ波を導入すると共に上チャンバ2にRFを印加して反応室1の内壁面に所望の膜厚のSiO2膜をプリコートする。【効果】プラズマクリーニング直後の壁面吸着分子の閉じ込めや、壁面の平滑化により、成膜時の膜剥れによる異物増加と、成膜時の反応室1内壁面での異常放電による異物発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

反応室内にマイクロ(μ)波プラズマおよびRF(radio frequency)プラズマを発生させ、基板電極に設置したウエハなどに薄膜を成膜すると共に、成膜により反応室内の壁面に堆積した堆積物を除去するプラズマクリーニング機能を備えたプラズマCVD装置のプリコート方法において、クリーニング終了後に反応室壁面の導入窓から導入したμ波で生成したμ波プラズマで反応室内壁面にプリコートすることを特徴とするプラズマCVD装置のプリコート方法。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/44 J , H01L 21/205

Fターム (24件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030DA06 , 4K030EA04 , 4K030FA02 , 4K030FA03 , 4K030KA14 , 4K030KA30 , 4K030LA11 , 5F045AA10 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045BB14 , 5F045DP02 , 5F045EB05 , 5F045EB06 , 5F045EB11 , 5F045EH17

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