特許
J-GLOBAL ID：200903032115233275
露光動作の評価方法、該方法を使用する走査型露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮川 貞二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364470
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186155
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 高精度かつ高速に最適露光条件を算出できる露光動作の評価方法、そのような方法を使用する走査型露光装置及びそのような装置を用いたデバイス製造方法を提供する。【解決手段】 原版Rと基板Wとを同期移動することにより原版Rのパターンを基板W上に転写する走査型露光装置10(図8参照)の露光動作を評価する方法であって、走査型露光装置10を用い、前記同期移動の方向に沿って評価パターンR1、R2が形成された原版Rと基板Wとを同期移動することにより該基板W上に前記評価パターンR1、R2を転写し、基板W上に転写された評価パターンの転写誤差を求め、該測定結果に基づいて走査型露光装置10の露光動作を評価する走査型露光装置の露光動作を評価する方法。原版Rと基板Wとを同期移動させながら基板W上に転写された評価パターンの転写誤差を求め、その測定結果に基づいて走査型露光装置10の露光動作を評価するので、必ずしも多数のショットを露光する必要がない。
請求項（抜粋）：
原版と基板とを同期移動することにより前記原版のパターンを前記基板上に転写する走査型露光装置の露光動作を評価する方法であって;該走査型露光装置を用い、前記同期移動の方向に沿って評価パターンが形成された原版と基板とを同期移動することにより該基板上に前記評価パターンを転写し;該基板上に転写された評価パターンの転写誤差を求め;該測定結果に基づいて前記走査型露光装置の露光動作を評価することを特徴とする評価方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 518
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 514 D
, H01L 21/30 516 B
