特許

J-GLOBAL ID：200903032115420180

重ね合わせ精度測定方法及び半導体製造装置

発明者： 毛利 竜彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158422
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340133
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 重ね合わせ精度の測定を比較的簡単に且つ高精度に行うことができる重ね合わせ精度測定方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】 第1のパターンと第2のパターンとの単一の組内で基準位置における重ね合わせずれ量と基準位置以外の位置における重ね合わせずれ量との減算値を求め、複数の組内における減算値の中央値との差が所定の閾値を超える重ね合わせずれ量を除去し、除去された残りの重ね合わせずれ量から重ね合わせの精度を測定する。このため、小さな閾値で、工程上の不具合等に起因する異常な重ね合わせずれ量のみを除去することができる。

請求項（抜粋）：

第1のパターンと第2のパターンとの複数の組の重ね合わせからこれらの重ね合わせの精度を測定する重ね合わせ精度測定方法において、単一の前記組内の複数の位置における重ね合わせずれ量を得る工程と、基準位置における前記重ね合わせずれ量と前記基準位置以外の位置における前記重ね合わせずれ量との減算値を求める工程と、前記複数の組内における前記減算値の中央値を求める工程と、前記中央値との差が所定の閾値を超える前記重ね合わせずれ量を除去する工程と、前記除去された残りの前記重ね合わせずれ量から前記精度を測定する工程とを具備することを特徴とする重ね合わせ精度測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 525 W ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H