特許

J-GLOBAL ID：200903032118322422

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 学
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235634
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079667
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】ICチップのコーナー部で発生する応力を緩和する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】スクライブラインS1に沿ってウェハW1を矩形状にダイシングすることにより、ICチップ1の切り出しを行った後、ウェハW1から切り出されたICチップ1に機械的加工を行うことにより、面取りされ、かつ、円柱状または5角形以上の多角形柱状のICチップ2〜4を形成する。その後円柱状または5角形以上の多角形柱状のICチップ2〜4をリードフレーム上にマウントして、モールド成形することによりパッケージングする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

厚み方向全体に渡って面取りされたICチップと、 前記ICチップを封止するモールド樹脂とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/301 ,  H01L23/28

FI (2件)：

H01L21/78 R ,  H01L23/28 Z

Fターム (4件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17