特許

J-GLOBAL ID：200903032120310377

ウェッジボンディング方法および装置ならびに半導体装置

発明者： 中丸 力
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214424
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 ウェッジボンディングにおけるボンディング精度の低下を防ぐとともに、狭パッドピッチの半導体チップの実装を可能にする。【解決手段】 超音波振動を利用して金線2を接合するウェッジボンディングであり、60KHzより大きな110〜130KHz好ましくは120〜130KHzの高周波数の超音波振動をウェッジ3を介して金線2に印加して、金線2と半導体チップ1のパッド1aもしくはBGAの外部引き出し用端子とを常温で接合する。

請求項（抜粋）：

超音波振動を利用してボンディングワイヤを接合するウェッジボンディング方法であって、前記ボンディングワイヤとして金線を用いるとともに、60KHzより大きな高周波数の超音波振動をボンディングツールを介して前記金線に印加して、前記金線と半導体チップの接続端子もしくは半導体装置の外部引き出し用端子とを接合することを特徴とするウェッジボンディング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/607

FI (3件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/607 B ,  H01L 21/607 A