膜形成用組成物及びその製造方法、並びに多孔質膜の形成方法及び多孔質膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212503
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【解決手段】 (A)下記一般式(1) R1-SiZ3 (1) で表される構造単位(T単位)を30〜100モル%含有し、かつこのT単位のうち、下記一般式(2) R1-Si(OH)Z’2 (2) で表されるシラノール基を1個含有する構造単位(T-2単位)を30〜80モル%含有し(但し、上記式中R1は置換又は非置換の一価炭化水素基を示し、ZはOH基、加水分解性基及びシロキサン残基から選ばれ、少なくとも1つはシロキサン残基を示し、Z’はシロキサン残基を示す。)、数平均分子量が100以上であるシラノール基含有シリコーン樹脂と、(B)アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル又はこれらの混合物を含むモノマーを重合してなる重合体とを含有することを特徴とするシリコーン含有膜形成用組成物。【効果】本発明の組成物を用いることによって、多孔質で低誘電率でありながら、平坦で均一であると共に、誘電率が小さく、しかも機械的な強度も大きい、半導体デバイス製造に用いるとき層間絶縁膜として最適な膜を形成することが可能になる。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1) R1-SiZ3 (1) で表される構造単位(T単位)を30〜100モル%含有し、かつこのT単位のうち、下記一般式(2) R1-Si(OH)Z’2 (2) で表されるシラノール基を1個含有する構造単位(T-2単位)を30〜80モル%含有し(但し、上記式中R1は置換又は非置換の一価炭化水素基を示し、ZはOH基、加水分解性基及びシロキサン残基から選ばれ、少なくとも1つはシロキサン残基を示し、Z’はシロキサン残基を示す。)、数平均分子量が100以上であるシラノール基含有シリコーン樹脂と、(B)アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル又はこれらの混合物を含むモノマーを重合してなる重合体とを含有することを特徴とするシリコーン含有膜形成用組成物。

IPC (9件)：

C09D183/04 , B05D 3/02 , B05D 5/06 104 , B05D 7/24 302 , C08F 2/44 , C08F283/12 , C09D133/06 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (9件)：

C09D183/04 , B05D 3/02 Z , B05D 5/06 104 F , B05D 7/24 302 Y , C08F 2/44 C , C08F283/12 , C09D133/06 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (47件)：

4D075BB28Z , 4D075BB93Z , 4D075CA03 , 4D075CA13 , 4D075CA23 , 4D075CA48 , 4D075CB21 , 4D075DA06 , 4D075DB01 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DC19 , 4D075DC21 , 4D075EA07 , 4D075EB22 , 4D075EB43 , 4D075EB52 , 4D075EB56 , 4J011PA99 , 4J026AB44 , 4J026BA27 , 4J038CG141 , 4J038CG142 , 4J038CH031 , 4J038CH032 , 4J038DB221 , 4J038DB222 , 4J038DL051 , 4J038DL052 , 4J038DL071 , 4J038DL072 , 4J038DL081 , 4J038DL082 , 4J038LA02 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

シリコーン樹脂含有エマルジョン組成物及びその製造方法並びに該組成物の硬化被膜を有する物品
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-082738 出願人：信越化学工業株式会社
多孔質膜形成用組成物、該組成物の製造方法、膜の形成方法および多孔質膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-000748 出願人：ジェイエスアール株式会社

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