特許

J-GLOBAL ID：200903032127478907

半導体装置における放熱構造

発明者： 高倉 信之
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067643
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275579
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 放熱効果が高く集積度のいっそうの向上の要求に応えられるような半導体装置における放熱構造を提供する。【構成】 素子が形成された半導体基板を備えた半導体装置の前記素子で発生する熱を半導体基板外に放出するための放熱構造において、前記半導体基板1の素子形成域の裏側には溝2が形成されていて、この溝形成面が良熱電導性材料からなる薄膜3で覆われており、この薄膜を通して前記素子で発生した熱の放出を行うようになっていることを特徴とする半導体装置における放熱構造。

請求項（抜粋）：

素子が形成された半導体基板を備えた半導体装置の前記素子で発生する熱を半導体基板外に放出するための放熱構造において、前記半導体基板の素子形成域の裏側には溝が形成されていて、この溝形成面が良熱電導性材料からなる薄膜で覆われており、この薄膜を通して前記素子で発生した熱の放出を行うようになっていることを特徴とする半導体装置における放熱構造。