特許
J-GLOBAL ID：200903032127778609
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-208774
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061153
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【構成】マイクロ波をプラズマへ放射する平面状アンテナ1と磁場を発生させる電磁石または永久磁石11を備え、電子サイクロトロンの効果を利用して電子を加速して中性ガスを衝突電離することによりプラズマ6を発生させるプラズマ処理装置は、平面アンテナ1とプラズマ発生領域との境界にマイクロ波が透過可能な材質または構造により中性ガスを放出する孔を面状に多数配置する。【効果】処理に必要なガスが基板上に均一に放射されプラズマが効率良く一様に発生できるので、基板への成膜やエッチング等の処理が均一に高効率で行えるという効果がある。
請求項（抜粋）：
マイクロ波をプラズマへ放射する平面アンテナと磁場を発生させる電磁石または永久磁石とを備え、電子サイクロトロンの効果を利用して電子を加速して中性ガスを衝突電離することによりプラズマを発生させるプラズマ処理装置において、前記平面アンテナとプラズマ発生領域との間に前記マイクロ波が透過可能で前記中性ガスを放出する多数の孔を面状に配置したガス放出機構を設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
