特許
J-GLOBAL ID：200903032139907218
二酸化珪素エレクトレットの改良製造方法及び得られた改良エレクトレット
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-002640
公開番号（公開出願番号）：特開平6-316766
出願日： 1994年01月14日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 寿命の長いSiO2 エレクトレットを提供する。【構成】 珪素及び酸素を含有するプラズマから生じた気相中で直接付着させることにより固体基体(5)上にSiO2 層を形成することからなる第一工程を含むSiO2 中でエレクトレットを製造する方法において、そのようにして形成された層(10)を、電気的にそれを帯電させる前に、1時間より長い時間その温度を100°Cより高く上昇させることにより熱処理にかけることを特徴とするエレクトレット製造方法。
請求項（抜粋）：
珪素及び酸素を含有するプラズマから生じた気相中で直接付着させることにより、固体基体(5)上にSiO2 層を形成することからなる第一工程を含むSiO2 エレクトレットを製造する方法において、そのようにして形成された層(10)を、電気的にそれを帯電させる前に、1時間より長い時間その温度を約100°Cより高く上昇させることにより熱処理にかけることを特徴とするSiO2 エレクトレット製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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