特許
J-GLOBAL ID：200903032143343140
アクティブマトリクス型液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317517
公開番号（公開出願番号）：特開平11-148078
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 低温多結晶シリコンTFTを用いた液晶表示装置の最適化。【解決手段】 TFT基板10上に、低温多結晶シリコン薄膜20を能動層として用いるTFTを形成し、該TFT及び電極配線を覆うようにこれらの上に層間絶縁膜を介して複数の画素電極26を形成する。液晶層40を挟んで対向する対向基板30上に形成される共通電極32には、その各画素電極26と対向する所定の位置に液晶の配向制御窓34が形成され、1画素領域中で液晶分子の配向領域を分割して広視野角を実現している。液晶層40の配向は垂直配向であり、液晶材料として、負の誘電異方性を備え、少なくとも側鎖にフッ素を有するフッ素系液晶分子を含むことで、多結晶シリコンTFTによって実現される低電圧駆動で十分動作することを可能としている。
請求項（抜粋）：
第1基板上に、マトリクス状に設けられた複数の画素電極と、対応する前記画素電極に接続されるように形成された薄膜トランジスタ及びその電極配線と、を備え、前記第1基板上の前記複数の画素電極と、該第1基板に対向配置された第2基板上の共通電極との間に挟持された液晶層を画素電極毎に駆動して表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタとして、能動層に低温で形成された多結晶シリコン層を利用した多結晶シリコン薄膜トランジスタを用い、前記第1及び第2基板間に挟持される前記液晶層の各液晶分子の初期配向を前記画素電極に対してほぼ垂直方向となるように制御し、前記液晶層に用いる液晶材料として、側鎖にフッ素を備える以下の化学式(1)〜化学式(6)で示される分子構造を備えた材料のうち、【化1】【化2】【化3】【化4】【化5】【化6】少なくともいずれか1種類の液晶分子を選択することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (4件)：
C09K 19/30
, G02F 1/13 500
, G02F 1/1337
, G02F 1/136 500
C09K 19/30
, G02F 1/13 500
, G02F 1/1337
, G02F 1/136 500
