特許

J-GLOBAL ID：200903032145193120

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者： 大浦 秀男
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069021
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268330
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 SV-GMR素子の交換結合磁界強度を向上させ、磁気抵抗変化率を向上させ、さらに耐熱安定性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを簡易なプロセスで形成できる製造方法を提供する。【解決手段】 SV-GMR素子4を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、SV-GMR素子4の固定層44と反強磁性層46との間にプラズマ処理層45を形成する工程を備える。プラズマ処理層45は固定層44の表面、反強磁性層46の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。このプラズマ処理層45は固定層44と反強磁性層46との間の中間の結晶格子定数を有し、双方の結晶格子を整合し、かつ双方の結晶性を確保する。

請求項（抜粋）：

基板上に第1磁性層(自由層)、非磁性導電層、第2磁性層(固定層)のそれぞれを順次形成する工程と、前記第2磁性層の上層に反強磁性層を結晶成長させることができ、前記第2磁性層、前記反強磁性層の双方の中間の結晶格子定数に調節して双方の結晶格子を整合させるプラズマ処理層を、前記第2磁性層の表面、又は前記反強磁性層の成膜初期層の表面、又は前記第2磁性層の表面及び反強磁性層の成膜初期層の表面の数原子層をイオンプラズマに曝すことで形成する工程と、前記プラズマ処理層上に前記反強磁性層を形成する工程とを備え、前記第1磁性層、非磁性導電層、第2磁性層、プラズマ処理層及び反強磁性層でスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 A ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

Fターム (10件)：

5D034BA05 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049FC03